二极管具有电容效应。它的电容包括势垒电容C_B和扩散电容C_D。

半导体二极管等效模型

1、势垒电容C_B

PN结内缺少导电的载流子，其电导率很低，相当于介质；而PN结两侧的 P区、N区的电导率高，相当于金属导体。从这一结构来看，PN结等效于一个电容器。

事实上，当PN结两端加正向电压时，PN结变窄，结中空间电荷量减少，相当于电容"放电"，当PN结两端加反向电压时，PN结变宽，结中空间电荷量增多，相当于电容"充电"。这种现象可以用一个电容来模拟，称为势垒电容。势垒电容与普通电容不同之处，在于它的电容量并非常数，而是与外加电压有关。当外加反向电压增大时，势垒电容减小；反向电压减小时，势垒电容增大。目前广泛应用的变容二极管，就是利用PN结电容随外加电压变化的特性制成的。

2、扩散电容C_D

PN结正向偏置时，N区的电子向P区扩散，在P区形成一定的非平衡载流子的浓度分布，即靠近PN结一侧浓度高，远离PN结的一侧浓度低。显然，在P区积累了电子，即存贮了一定数量的负电荷；同样，在N区也积累了空穴，即存贮了一定数量的正电荷。当正向电压加大时，扩散增强，这时由N区扩散到P区的电子数和由P区扩散到N区的空穴数将增多，致使在两个区域内形成了电荷堆积，相当于电容器的充电。相反，当正向电压减小时，扩散减弱，即由N区扩散到P区 的电子数和由P区扩散到N区的空穴数减少，造成两个区域内电荷的减少，、这相当于电容器放电。因此，可以用一个电容来模拟，称为扩散电容。

总之，二极管呈现出两种电容，它的总电容C_j相当于两者的并联，即C_j＝C_B + C_D。二极管正向偏置时，扩散电容远大于势垒电容 C_j≈C_D；而反向偏置时，扩散电容可以忽略，势垒电容起主要作用，C_j≈C_B。