EEPROM读写注意事项
在实际使用EEPROM过程中，发现一些问题：
一、快速操作EEPROM造成读写数据出错
现象：读取的数据与写入的不同，但时序波形和硬件未发现任何问题。
在查阅EEPROM规格书后发现有一个很容易忽略的参数：TDHDL，此参数用于规定当对EEPROM进行一次I2C操作后必须再等待一段时间才能再对EEPROM进行I2C操作。TDHDL如下图所示：
当对EEPROM访问完成后，如果没有等待大于TDHDL定义的时间就对EEPROM进行新的访问（无论是读或写），将可能出错，读出或写入的数据无法保证正确。上述问题就是由此引起的。
解决措施：
在每次访问EEPROM前或每次访问EEPROM后强制等待大于TDHDL规定的时间。
二、使用写操作引起的失误
1、连续进行写操作会出现错误
现象：连续对EEPROM进行写操作，有可能写入失败。
在进行写操作时，EEPROM内部硬件具备缓冲寄存器，待写入的数据不是直接写入指定地址存储器中，而是先存储在缓冲寄存器中，然后再通过内部电路写入指定地址存储器中。当通过I2C协议将需要写入的数据写入EEPROM的缓冲寄存器后，I2C传输完成，此时需要等待一段时间供EEPROM进行从缓冲寄存器写入指定地址存储器中，否则写入数据可能失败，造成写操作出现错误。
解决措施：
使用与因快速操作EEPROM造成读写数据出错类似的方法，写操作完毕后强制等待大于twr规定的时间。
2、使用页写操作时出现错误
现象：写入数据没有写入到期望地址，同时会将期望地址附近数据破坏。
进行页写或多字节连续写操作时，首先需要指定地址，然后连续传输指定地址及跟随其后的地址对应的数据，EEPROM硬件在进行写操作后时会自动对操作地址加1，以方便下一次操作。
但是EEPROM这种地址自加操作对应写操作而言自是针对子地址的低几位（具体是几位与EEPROM硬件有关，不同厂家的EEPROM有所区别），当参与自加的低几位地址都加到二进制的“1”时，再次操作完毕后自加的结果将会使低几位地址变为“0”，即操作地址指针跳回本页的起始地址，而不是继续增加。
例如：可以进行16字节页写的EEPROM，即参与自加的子地址为低4位，如果从0x010开始连续写不超过16字节数据将不会出错；而从0x011开始连续写16字节数据将会出错，EEPROM内部地址自加电路将会把前15个字节数据写入0x011~0x01f中，这部分为正确的，而第16个字节的数据将会写入0x010中，而不是预期的0x020中。
解决措施：
当需要进行页写或连续多字节写入时，首先需要对数据长度和起始写入地址进行判断，如果可能存在EEPROM地址自加出错现象，需要将需要操作的数据分为两部分，先将前面数据通过连续多字节写操作写入EEPROM的自加地址结束处，然后再循环进行页写操作或多字节连续写操作。
3、使用读操作引起的失误
现象：读出数据与EEPROM实际地址对应数据不符。
进行多字节连续读操作时，首先需要指定地址，然后读取指定地址及跟随其后的地址对应的数据，EEPROM硬件在进行读操作后时会自动对操作地址加1，以方便下一次操作。
但是当所访问的地址超过MEMORY的最大容量时，EEPROM的数据读取将会发生“卷边”，操作地址跳回该EEPROM的起始地址，然后再顺序自加。
解决措施：
当需要读取连续多字节时，首先需要对数据长度与起始读取地址进行判断，如果可能存在EEPROM地址自加出错现象（越界现象），则需要做相应的出错处理，或者返回一个出错标志。
