TVS主要技术参数
1、最小击穿电压VBR和击穿电流IR
VBR：Reverse Break Down Voltage，反向击穿电压
IR：Reverse Current，击穿电流（有的datasheet上称为IT）
VBR是TVS最小的击穿电压，在25℃时，低于这个电压TVS是不会产生雪崩的。当TVS流过规定的1mA电流( IR )时，加于TVS两极的电压为其最小击穿电压VBR 。按TVS的VBR与标准值的离散程度，可把VBR分为5％和10％两种。对于5％的VBR来说，VRWM =0.85VBR；对于10％的VBR来说，V RWM =0.81VBR。
为了满足IEC61000-4-2国际标准（对应国标GB/T 17626.2-2006），TVS二极管必须达到可以处理最小8kV(接触)和15kV(空气)的ESD冲击，部份半导体厂商在自己的产品上使用了更高的抗冲击标准。对于某些有特殊要求的可携设备应用，设计者可以依需要挑选元件。
2、最大反向漏电流ID和额定反向切断电压VRWM
VRWM：Reverse Stand-off Voltage，反向切断电压
ID：Maximum Reverse Leakage Voltage，最大反向漏电流（有的datasheet称为IR）
IRM：Reverse Leakage Voltage @VRWM ，反向漏电流
VRWM是二极管在正常状态时可承受的电压，此电压应大于或等于被保护电路的正常工作电压，否则二极管会不断截止回路电压；但它又需要尽量与被保护回路的正常工作电压接近，这样才不会在TVS工作以前使整个回路面对过压威胁。
当这个额定反向切断电压VRWM加于TVS的两极间时它处于反向切断状态，流过它的电流（IRM）应小于或等于其最大反向漏电流ID。
3、最大钳位电压VC和最大峰值脉冲电流Ippm
VC：Reverse Clamping Voltage，钳位电压
Ippm：Maximum Peak Impulse Surge Current，最大浪涌电流
当持续时间为20ms的脉冲峰值电流Ippm流过TVS时，在其两端出现的最大峰值电压为VC。 VC，Ippm反映了TVS的突波抑制能力。VC与VBR之比称为钳位因子，一般在1.2~1.4之间。 VC是二极管在截止状态提供的电压，也就是在ESD冲击状态时通过TVS的电压，它不能大于被保护回路的可承受极限电压，否则元件面临被损伤的危险。
4、额定脉冲功率PPP
PPP：Peak Pulse Power，脉冲功率
这是基于最大截止电压和此时的峰值脉冲电流。对于手持设备，一般来说500W的TVS就足够了。最大峰值脉冲功耗PM是TVS能承受的最大峰值脉冲功耗值。在特定的最大钳位电压下，功耗PM越大，其突波电流的承受能力越大。在特定的功耗PM下，钳位电压VC越低，其突波电流的承受能力越大。另外，峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。而且，TVS所能承受的瞬态脉冲是不重覆的，元件规定的脉冲重覆频率(持续时间与间歇时间之比)为0.01％。如果电路内出现重覆性脉冲，应考虑脉冲功率的累积，有可能损坏TVS。
5、电容器量C
电容器量C是由TVS雪崩结截面决定的，是在特定的1MHz频率下测得的。 C的大小与TVS的电流承受能力成正比，C太大将使讯号衰减。因此，C是数据介面电路选用TVS的重要参数。电容器对于数据/讯号频率越高的回路，二极管的电容器对电路的干扰越大，形成噪音或衰减讯号强度，因此需要根据回路的特性来决定所选元件的电容器范围。高频回路一般选择电容器应尽量小(如LCTVS、低电容器TVS，电容器不大于3pF)，而对电容器要求不高的回路电容器选择可高于40pF。
6、钳位时间Tc
TC是从零到最小击穿电压VBR的时间。对单极性TVS小于1×10-12秒；对双极性TVS小于是1×10-11 秒。
7、温度系数
Temperature Coefficient of VBR
温度对TVS的特性有一定的影响，如果需要TVS在一个变化的温度工作，必须查阅有关产品资料，考虑温度变化对其特性的影响。
综上所述，TVS选用技巧如下：
（1）确定被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“高端”容限。
（2）TVS额定反向关断VRWM应大于或等于被保护电路的最大工作电压。若选用的VRWM太低，器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压，并行连接分电流。
（3）TVS的最大钳位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。
（4）在规定的脉冲持续时间内，TVS的最大峰值脉冲功耗PM必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。在确定了最大钳位电压后，其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。
（5）对于数据接口电路的保护，还必须注意选取具有合适电容C的TVS器件。
（6）根据用途选用TVS的极性及封装结构。交流电路选用双极性TVS较为合理；多线保护选用TVS阵列更为有利。
（7）温度考虑。瞬态电压抑制器可以在-55℃～+150℃之间工作。如果需要TVS在一个变化的温度工作，由于其反向漏电流ID是随温度增加而增大；功耗随 TVS结温增加而下降，从+25℃～+175℃，大约线性下降50％，击穿电压VBR随温度的增加按一定的系数增加。因此，必须查阅有关产品资料，考虑温度变化对其特性的影响。
